技术编号：15516753
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2017年3月10日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0030731和于2017年11月28日提交的No.10-2017-0159821的优先权，其内容通过引用形式并入本文。技术领域本发明涉及一种极紫外(EUV)光刻用防护膜及其制造方法，尤其涉及一种对EUV曝光光线具有高透过率且热特性和机械强度更高的EUV光刻用防护膜、以及其制造方法。背景技术曝光技术(也称为光刻)的发展使得半导体集成电路(IC)具有高集成度成为可能。目前商业化的曝光工艺采用使用193nm的Ar...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。