技术编号:15517349
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2017年3月10日提交的韩国专利申请No.10-2017-0030763的优先权,该申请的全部内容以引用方式并入本文中。技术领域本发明构思涉及半导体存储器,并且更具体地说,涉及存储器控制器和包括存储器控制器的存储装置。背景技术半导体存储器装置分为当断电时丢失其存储的数据的易失性存储器装置(诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM等)和即使断电也保持其存储的数据的非易失性存储器装置(诸如只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。