技术编号:15519980
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种自对准晶种层及自对准薄膜的制备方法。背景技术随着半导体器件尺寸的不断减小,半导体制作工艺已经进入深亚微米时代,且向超深亚微米发展,然而随着集成电路密度的不断提高,对半导体器件的性能以及稳定性也提出了更高的要求。在半导体器件制作过程中形成的薄膜,例如硅膜,其平整度对于后续形成的半导体器件的性能有着非常重要的影响。现有技术中,一般通过外延法生长硅(Si)、硅锗(SiGe)或锗(Ge)来得到具有原子级平整表面的薄膜层,然而,该方法在制造过程中需要相当高的温度,并且...
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