技术编号:15520193
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体器件,例如涉及三维半导体器件及其形成方法。背景技术为了提高各种产品的价格竞争力,对半导体器件的提高的集成度的需求已经增加。为了提高半导体器件的集成度,已经提出了新的三维半导体器件。发明内容本公开的一方面可以提供具有提高的可靠性的三维半导体器件及其形成方法。本公开的一方面可以提供具有提高的耐久性的三维半导体器件及其形成方法。根据本公开的一方面,提供一种三维半导体器件。三维半导体器件包括包含第一区域和第二区域的基板。三维半导体器件包括第一栅电极和第二栅电极,第一栅电极和第二栅电极顺序...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。