技术编号：15533419
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及驱动薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种新型驱动薄膜晶体管及其制备方法。背景技术在AMOLED中，随着像素PPI的增加，像素所需的工作电流减小，故需要的驱动薄膜晶体管DTFT的开启电流Ion减小，同时驱动薄膜晶体管STFT的特性仍需要保持快速的充电速率，因此难以通过一次光刻同时达到上述要求。此外，像素的版图设计上，因像素PPI的增大，像素周期pitch减小，载流子传输通道的长度L相对宽度W增大，反而使得W/L增大，难以从版图设计的角度使驱动薄膜晶体管DTFT Ion减小。从工艺条件上，若减...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。