技术编号:15575815
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2016年1月29日提交的题为“MEMORY CELL SCREEN FOR BTI EFFECT(用于BTI效应的存储器单元筛选)”的美国专利申请No.15/010,385的权益,其通过援引整体明确纳入于此。背景领域本公开一般涉及存储器,且更具体地涉及操作用于BTI效应的存储器单元筛选的存储器。背景技术现代电子设备(诸如蜂窝电话、智能手表,等等)严重依赖从场效应晶体管(FET)构建的电子电路。此类FET可包括p沟道晶体管(例如,p型金属氧化物半导体(或即PMOS)晶体管)和n沟道晶...
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