技术编号:15620711
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请案享有以日本专利申请案2017-59911号(申请日:2017年3月24日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。技术领域实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。背景技术提出了包含多个电极层隔着绝缘层而积层的积层体、及在该积层体内于积层方向上延伸的柱状部的三维存储器。形成柱状部的步骤包含在积层体形成空穴的步骤、及在该空穴内形成电荷储存膜或半导体主体的步骤。另外,也提出了分多次进行积层体的形成及空穴的形成。在下层侧的积层体形成第1空穴后,在该下层侧的积...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。