技术编号：15683549
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请主张在2017年3月28日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2017-0039301号的优先权的权利，所述韩国专利申请的公开内容全文并入本申请供参考。技术领域本发明概念涉及一种用于极紫外光曝光的护膜(pellicle)以及一种光刻系统。背景技术可将护膜以期望的(或作为另外一种选择，预定的)间隙放置在光掩模之上以帮助保护光掩模的表面不受外部微粒的影响。在微影工艺(lithography process)期间，期望护膜在暴露至光时会在设定时间段或更长时间内保持不变形或不破裂。期望存...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。