技术编号:15686511
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺技术领域,具体地,涉及一种等离子体产生腔室和等离子体处理装置。背景技术随着半导体工艺技术的发展,多种半导体设备广泛应用于半导体制程,等离子体刻蚀或沉积作为半导体制程中的关键一步,等离子体设备已遍布各大半导体制程产线。等离子体刻蚀或沉积其工作原理为将工艺气体通入真空腔室内,通过电激励或光激励方式将工艺气体进行解离、激发、电离等,被离化的自由基或离子通过自由扩散或场加速至晶圆表面并与晶圆材料相互作用,进行相应的刻蚀和沉积。复杂的半导体工艺制程当中,光胶作为重要的掩膜在各道制程工序...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。