技术编号:15688577
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及粉末冶金和半导体器件制造领域,具体涉及一种高纯钽靶材的制备方法。背景技术磁控溅射镀膜具有均匀性高、可控性强等诸多优势,逐渐成为集成电路和半导体芯片生产过程中最关键的工艺之一。而溅射靶材的质量决定了磁控溅射的镀膜效果以及半导体器件的性能,因而成为半导体领域,尤其是芯片制造业所不可或缺的关键材料。靶材溅射后形成的薄膜的品质,如薄膜厚度、均匀性等,会显著影响到半导体行业产品的性能,而薄膜厚度和均匀性,几乎完全取决于靶材的组织,比如晶粒的细化程度和均匀性等。因此,为了提高钽靶材的质量,提高制备...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。