技术编号:15740626
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,具体是一种基于V形坑的无荧光粉GaN基白光LED外延结构及其制备方法。背景技术如今,由于InGaN的带隙可覆盖全部可见光光谱区域,InGaN 发光二极管(LED)固态照明领域表现出巨大的潜能。绝大部分白光LED为蓝光LED和黄光荧光粉配合形成,然而其具有转换效率低的问题。利用InGaN材料本身的带隙性质制备无荧光粉白光LED引起了人们的高度重视和深入研究。由于生长在不同晶面上的量子阱其阱厚和In组分均不相同,因此量子阱的发光波长可出现明显差异。基于此,近年来,人们可以通过改...
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