技术编号:15740978
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明在半导体功率装置的领域中。所揭示实施例涉及用于垂直功率晶体管的终端区域,其包含金属氧化物半导体超级结晶体管。如在所属领域中已知,半导体功率切换装置理想地能够在“断开”状态时使用最小电流传导阻断大正向电压及反向电压而在“导通”状态时使用最小压降传导大电流,其具有最小切换时间及最小切换功率消耗。还寻求制造良率的改进及制造成本的减少。朝向这些理想属性的进展已主要地通过装置架构中的创新在现代功率晶体管中进行,而非通过装置特征大小的缩小(如在例如数字逻辑及存储器装置的低功率半导体装置的情况中)。在此...
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