技术编号:15747995
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,具体地,涉及一种反应腔室的进气机构、反应腔室及外延生长设备。背景技术外延生长工艺是将工艺气体输送至反应腔内,并通过加热等方式,使工艺气体生成原子,并沉积在衬底上形成单晶外延层。在外延生长过程中,进入反应腔内的工艺气体的均匀性对外延层的生长速度及厚度的均匀性具有很大影响。图1为现有的外延生长反应腔室的结构示意图。如图1所示,该反应腔室包括反应腔1、设置在该反应腔1一侧的进气机构2、设置在反应腔1的与该进气机构2相对的另一侧的排气机构3。其中,在反应腔1内设置有托盘,用...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。