单晶硅的制造方法与流程技术资料下载

技术编号:15747996

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本发明涉及一种单晶成长方法,尤其涉及一种单晶硅的制造方法。背景技术近年来,半导体产业蓬勃发展,其中硅晶圆为半导体产业最基本的必需品。单晶硅的成长方法包括悬浮带区法(floating zone method)、柴式拉晶法(Czochralski method,CZ)等。在这些方法之中,柴式拉晶法由于具有较佳的经济效益,已经成为目前大尺寸晶圆的主要成长方法。在柴式拉晶法期间,于保持减压下的惰性气体气氛的腔室中,将晶种浸入保存硅熔汤的坩埚中,浸入的晶种逐渐被拉出,从而在晶种下成长单晶硅。另外,在柴式拉...
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