技术编号：15747996
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种单晶成长方法，尤其涉及一种单晶硅的制造方法。背景技术近年来，半导体产业蓬勃发展，其中硅晶圆为半导体产业最基本的必需品。单晶硅的成长方法包括悬浮带区法(floating zone method)、柴式拉晶法(Czochralski method,CZ)等。在这些方法之中，柴式拉晶法由于具有较佳的经济效益，已经成为目前大尺寸晶圆的主要成长方法。在柴式拉晶法期间，于保持减压下的惰性气体气氛的腔室中，将晶种浸入保存硅熔汤的坩埚中，浸入的晶种逐渐被拉出，从而在晶种下成长单晶硅。另外，在柴式拉...
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