技术编号：15790718
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体设备，尤其涉及一种干法刻蚀后晶圆上残留静电去除的装置组件。背景技术氧化膜刻蚀在整个晶圆的制造过程中，已起到主要的工艺流程。其最基本的作用就是作为绝缘层进行隔离金属层。如图1所示，作为介质层被夹在金属层的中间，相当于形成了一个平行板状的电容装置，容易聚集电荷，却不容易被释放。在实际应用中，这种情况也经常发生。如图2-4所示，刻蚀机台在刻蚀过程中是需要将晶圆(wafer)通过静电吸附来固定晶圆(wafer)。在刻蚀这个过程完成后，机台也需要通过等离子(plasma)放电，或机...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。