技术编号:15799112
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路半导体技术领域,具体涉及一种高性能硅基椭圆栅隧穿场效应晶体管。背景技术半导体产业按照“摩尔定律”发展至今,半导体芯片的集成化已经达到了惊人的程度,但是由于沟道长度的减小,漏电流会以指数上升,从而导致功耗的问题变得越来越严重。为了减小功耗,目前最有效的办法就是减小器件工作时电源电压,同时减小晶体管亚阈值漏电流和关态电流。为此,引入了亚阈值摆幅的概念,表现器件开启的速度,S越小,开启速度越快,功耗越小。然而,传统的MOSFET器件的亚阈值摆幅理论上的最小值也不会小于60mV/dec...
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