技术编号：15810303
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明构思涉及半导体器件。背景技术半导体器件可以包括由阈值电压可不同的晶体管形成的各种各样的功能块。半导体器件的功能块可以包括逻辑晶体管、用于SRAM(静态随机存取存储器)芯片的晶体管、或用于DRAM(动态随机存取存储器)芯片的晶体管。发明内容根据本发明构思的一示例性实施方式，一种半导体器件提供如下。衬底具有NMOS区域和PMOS区域。第一栅电极结构设置在衬底的NMOS区域上。第一栅电极结构包括第一阻挡层、第一栅电极层和第二阻挡层，其如所列的次序堆叠。第二栅电极结构设置在PMOS区域上。第二栅电...
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