技术编号:15810332
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储装置以及其制作方法,尤其是涉及一种具有电容结构的半导体存储装置以及其制作方法。背景技术动态随机存取存储器(dynamic random access memory,以下简称为DRAM)为一种挥发性(volatile)存储器,是许多电子产品中不可或缺的关键元件。DRAM由数目庞大的存储单元(memory cell)聚集形成一阵列区,用来存储数据,而每一存储单元可由一金属氧化半导体(metal oxide semiconductor,MOS)晶体管与一电容(capacitor...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。