技术编号：15839035
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工业界集成电路的后工艺操作，特别涉及一种半导体离子敏场效应晶体管ISFET的制备方法。背景技术近20年来，基于半导体离子敏场效应晶体管(ISFET)的生化传感器研究越来越引起人们的关注，目前利用ISFET能够实现对pH、金属离子、血糖、基因和蛋白质等的检测。ISFET，利用表面处理技术使其敏感膜能够吸附特定的离子或分子，这些带电的离子或分子会改变ISFET的沟道电导率，通过外电路监测ISFET沟道电导率的变化便可以间接获知试液中离子或分子的浓度。ISFET具有体积小、响应快、输出...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。