基于镀膜掺杂半导体的太赫兹宽带吸收器的制作方法技术资料下载

技术编号:15846719

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本发明涉及电磁功能材料技术领域,特别是涉及一种基于镀膜掺杂半导体的太赫兹宽带吸收器。背景技术太赫兹波是指频率在0.1THz到10THz范围的电磁波,因其特有的性质,在安全成像、近距离高速通信等领域有着不可替代的应用价值。太赫兹吸收器作为一种重要的电磁波器件,与太赫兹波检测、通信和成像系统的发展关系密切。太赫兹吸收器设计原理分为窄带和宽带两大类。太赫兹窄带吸收器在消反射原理和超材料阻抗匹配原理主导下已经实现了比较令人满意的吸收性能,目前主要朝着减小尺寸和可调谐方向进一步发展。太赫兹宽带吸收器相对研...
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