技术编号:15885074
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及层结构半导体器件及其制造方法。背景技术电力电子晶体管广泛用于各种邻域,例如移动电话网络,太阳能发电厂和电动汽车,用于改变电输出波形,例如,从DC(直流)到AC(交流)或从一个电压水平到另一个电压水平。这些晶体管需要在很宽的功率范围内工作,从移动手机的毫瓦量级到高压电力传输系统的数百兆瓦;有时需要工作在不同的频率,覆盖从无线电波到微波和毫米波。尽管在Si,SiC,砷化物和III族氮化物(GaN,AlN,InGaN,AlGaN等)晶体管的制造取得了进展,但这些器件各有优点和缺点。特别是现有...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。