技术编号：15899350
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及深紫外LED技术领域，特别涉及一种同侧结构的深紫外LED外延结构。背景技术随着Ⅲ族氮化物紫外发光器件在制备工艺方面的不断发展，与其它常见的紫外光源相比，紫外LED具有理论使用寿命长、成本低、冷光源、高效可靠以及无毒环保等优点，在平面显示、精密光学、太阳光电、紫外生物医疗、光通讯以及探测等领域的应用范围很广泛，近年来也受到半导体照明相关行业越来越多的关注。然而，紫外LED目前依然存在着一些难以突破的问题，如在衬底模板的制备、外延结构生长中存在着内部残余应力、晶格失配和热失配等问题，进...
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