技术编号:15972920
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于薄膜太阳能电池领域,尤其涉及一种具有无Cd缓冲层的铜(Cu)铟(In)镓(Ga)硒(Se)(简称:CIGS)太阳能电池以及这种太阳能电池的制备方法。背景技术太阳能电池是通过光电效应或光化学效应直接把太阳光能转化成电能的半导体功能器件。自从1974年Wanger等制备出了世界上第一个CIS薄膜太阳能电池以来,CIS/CIGS太阳能电池以其在日光曝晒下性能稳定、抗辐射能力强、转化效率提升空间大、可沉积在柔性衬底上等优点,受到了光伏产业研究者的广泛关注。CIGS薄膜太阳能电池是在玻璃或者其他...
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