技术编号：15992396
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体薄膜领域，具体涉及一种在铝衬底上外延生长的AlGaN薄膜及其制备方法。背景技术AlGaN材料具有高温稳定性好、高的介质击穿强度、优异的机械强度、通过Al组分变化可实现禁带宽度从3.4到6.2eV可调，从而覆盖了波长从365-200nm的紫外波段，在紫外探测器、紫外LED及HEMTs器件方面具有重要的应用。然而，目前在AlGaN材料制备中依然面临问题。首先，由于目前外延生长AlGaN的衬底通常与AlGaN之间晶格失配较大，导致外延生长的AlGaN材料具有很高的缺陷密度；其次，外延生...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。