技术编号：16017031
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种由微米级五边形氧化亚锡构成的薄膜及其制备方法，该方法操作简单，成本低廉。背景技术SnO属于二维氧化物半导体，同时属于SnX(SnX；X＝O,S,Se或Te)化合物，在这个材料家族中，Sn 5s电子不参与键合过程并构成孤对电子。在SnO中，这些孤电子对指向层间距，并且由此产生的偶极-偶极相互作用导致SnO层之间的范德瓦耳斯间隙为这种孤对电子活性在其他此类化合物中较少，这使SnO在SnX化合物中是第一无二的。因此，SnO在[001]晶向上与Sn-O-Sn序...
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