技术编号：16093342
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于一种TVS结构及其制备方法，此TVS适用于保护超低工作电压的半导体IC。背景技术随着半导体IC的集成度不断提升，半导体制造工艺最小线宽的不断降低，半导体IC能承载的最大功率变得更低，这就需要半导体IC工作电压变得比原来要低，才能有效降低半导体IC承载的功率。近些年，半导体IC的工作电压从5V降低到了3.3V，后来又从3.3V降低到了2.5V，这就需要作为过压保护的TVS击穿电压也要相应的降低，以便更好地保护半导体IC，当二极管TVS击穿电压低于5V后，齐纳击穿的隧道效应会导致击穿曲线软...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。