技术编号:16142545
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及金刚石切割技术领域,尤其涉及CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法。背景技术CVD生长单晶金刚石是含碳气体和氧气的混合物在高温和低于标准大气压的压力下被激发分解,形成活性金刚石碳原子,并在基体上沉积交互生长成聚晶金刚石,CVD生长单晶金刚石的过程中会在金刚石的四周出现多晶金刚石,随着生长的进行,多晶金刚石会侵入金刚石表面,使得金刚石表面的面积缩小。目前金刚石的切割都是沿着多晶垂直向下切割,造成单晶金刚石的损失,因此,亟待设计一种CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法来解决现有的问题。发明内...
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