技术编号：16151265
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。将在韩国知识产权局于2017年5月25日提交并且题为“形成薄膜的方法以及使用其制造集成电路器件的方法”的韩国专利申请No.10-2017-0064881全部通过参考引入本文中。技术领域实施方式涉及形成薄膜的方法以及使用其制造集成电路器件的方法。背景技术随着集成电路器件的集成度增加，构成集成电路器件的结构体的纵横比(高宽比)可大大增加。发明内容实施方式可通过提供形成薄膜的方法实现，所述方法包括：通过在约300℃至约600℃的温度下将具有羰基的反应抑制化合物供应至下部膜的暴露表面而形成化学吸附在所述...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。