技术编号：16216242
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及对在表面形成有膜的晶片进行研磨的研磨装置以及研磨方法，尤其是涉及通过分析来自晶片的反射光所包含的光学信息，一边检测晶片的膜厚一边对晶片进行研磨的研磨装置以及研磨方法。背景技术在半导体装置的制造工程中，包含对SiO2等绝缘膜进行研磨的工序、对铜、钨等金属膜进行研磨的工序等各种工序。在背面照射型CMOS传感器以及硅贯通电极(TSV)的制造工序中，除了绝缘膜、金属膜的研磨工序以外，还包含对硅层(硅晶片)进行研磨的工序。晶片的研磨在构成其表面的膜(绝缘膜、金属膜、硅层等)的厚度达到规定的目标值...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。