技术编号:16260995
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路技术领域,特别涉及一种制作稳定VDMOS功率器件的工艺方法。背景技术单粒子辐照效应对超大规模集成电路(Very Large Scale Integrated Circuit,VLSI)、CMOS电路器件、功率VDMOS功率器件器件具有较大影响,能够干扰器件和电路的正常工作。单粒子辐照能够对器件造成硬损伤,可能会就此造成器件永久失效。当单粒子入射在VDMOS器件的源极有源区时,可能导致器件的寄生晶体三极管(由源极有源区、p-body区和外延层形成)开启,使VDMOS器件失去栅开关...
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