技术编号:16353336
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种带负压的隔离驱动电路,尤其涉及一种新型MOSFET驱动电路,属于MOSFET驱动电路技术领域。背景技术MOSFET在开关电源中被广泛应用,但由于其自身分布电容的原因,在桥式电路中,由上管或下管导通或关断时,易导致同一桥臂上另一管误导通,从而导致上下管同时处于导通状态,进而发生故障,MOSFET,特别是碳化硅SiC MOSFET驱动有负压时,可极大的减小上述风险;目前,大多数带负压的驱动电路主要采用信号和供电分离,如各大品牌的集成驱动电路,造成总体电路复杂,且失效率高,也有部分采...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。