技术编号：16370550
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及离子源设备技术领域，具体涉及一种可降低电子逃逸率的离子源。背景技术在PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)反应中通常会用到一种阳极层等离子源，在DLC沉积过程中，它用于离化惰性气体如氩气，或者直接离子化乙炔、丙酮等反应沉积气体，使其形成离子流射入到反应真空腔体中，并增大沉积反应气体的离子化率，进而提高DLC涂层中SP3的比例和沉积速率，实现沉积薄膜质量的提高以及沉积时间的缩短。阳极层离子源最初是由运用于太空发动机度封闭漂移离子推进器发展而来，在阴极板上开出一个环形缝隙，在环形缝隙的下...
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