等离子体处理设备和利用其制造半导体装置的方法与流程技术资料下载

技术编号:16395601

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本申请要求于2017年6月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0075074的优先权,该申请的内容以引用方式全文并入本文中。技术领域根据一个或多个示例性实施例的设备和方法涉及一种等离子体处理设备和一种利用其制造半导体装置的方法。背景技术最近的半导体处理越来越要求针对高深宽比接触(HARC)处理控制等离子体。在现有技术中,采用了通过降低偏置频率和增大射频(RF)功率来增大蚀刻速率以最大化离子能量的方法。然而,随着深宽比增大,降低频率和增大RF功率的效果由于负载效应的增大而...
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