技术编号：16395601
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2017年6月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0075074的优先权，该申请的内容以引用方式全文并入本文中。技术领域根据一个或多个示例性实施例的设备和方法涉及一种等离子体处理设备和一种利用其制造半导体装置的方法。背景技术最近的半导体处理越来越要求针对高深宽比接触(HARC)处理控制等离子体。在现有技术中，采用了通过降低偏置频率和增大射频(RF)功率来增大蚀刻速率以最大化离子能量的方法。然而，随着深宽比增大，降低频率和增大RF功率的效果由于负载效应的增大而...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。