技术编号：16468135
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及闪存，尤其涉及一种管理闪存模块的方法及相关的闪存控制器。背景技术在采用立体NAND型闪存(3D NAND-type flash)的架构中，当闪存控制器需要将数据写入至闪存模块中的多层式存储(Multiple-Level Cell，MLC)区块或是三层式存储(Triple-Level Cell，TLC)区块时，一次写入的数据量必须要很大，例如64千位组(KB)或是128KB，然而，若是闪存控制器需要写入的数据具有很小数据量(例如，4KB)的随机数据时，则闪存控制器需要加入60KB或是12...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。