技术编号:16476820
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路和射频应用技术领域,具体涉及一种新型离子注入型PD SOI器件及其制备方法。背景技术SOI(Silicon-on-insulator,绝缘体上硅)CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)器件更具有吸引力,因为与体硅CMOS器件相比,它能够彻底消除寄生闩锁效应,同时具有功耗低、速度快、集成度高等优点。SOI MOS器件按照最大耗尽层厚度可以分为部分耗尽SOI MOS器件(PD SOI MOS器件)和完全...
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