技术编号：16486070
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种具有电子阻挡层的外延结构及包括其的发光二极管。背景技术目前LED外延生长过程中，常采用掺杂镁的p型AlGaN层作为电子阻挡层(EBL)，避免电子直接迁移到p层从而影响电子和空穴的有效复合效率，通过生长p型AlGaN层，能够阻挡电子进入p层，可提升发光效率。但是，这种EBL易产生贯穿整个外延结构的穿透位错，从而造成发光二极管的ESD及IR较差，另外目前采用该种EBL结构的LED在大电流下由于存在电子溢流效应，容易产生发光效率变差的现象。发明内容本实用新型提供一...
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