技术编号:16509417
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求2016年5月23日提交的名称为“ELECTRIC FIELD SHIELDING IN SILICON CARBIDE METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR(MOS)DEVICE CELLS”的美国临时申请序列第62/340,396号的优先权,出于所有目的,该申请通过引用被全文并入本文中。背景技术本文中公开的主题涉及半导体功率器件,例如,碳化硅(SiC)功率器件,包括场控晶体管(例如MOSFET、DMOSFET、UMOSFET、VMOSFET、沟道MOSFET等)、绝缘...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。