技术编号:16531444
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及信息材料与器件领域,尤其是一种基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器及其制备方法。背景技术垂直腔面发射激光器(VCSEL)是一种极具发展前景的新型半导体激光器,是光子学器件在集成化方面的重大突破。垂直腔面发射激光器不同于常规的端面发射激光器,端面发射激光器侧向出光,而垂直腔面发射激光器的出射光与谐振腔表面垂直。这种光腔取向的不同使得垂直腔面发射激光器的性能远远优于常规的端面发射激光器。激光垂直出射使得垂直腔面发射激光器易于形成二维平面阵列;发散角小和圆形对称的远、近场分...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。