技术编号：16601924
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明为单晶硅片研究领域，涉及一种硅抛光片缺陷的检测方法。背景技术作为IC衬底的硅晶圆片，需要从单晶硅棒的切割后，经过大量物理、化学、以及热处理来制造。单晶硅棒一般通过使籽晶浸渍于石英坩埚内高纯度(99.9999999％以上)熔融的硅中并拉提使单晶成长的Czochralski法(直拉法——以下称“CZ法”)来获得，但在单晶育成时会在结晶内引入被称为Grown-in缺陷的微细缺陷。该Grown-in缺陷与单晶育成时的拉提速度和凝固后的单晶内温度分布(拉提轴方向的结晶内温度梯度)相关，以被称为COP...
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