技术编号:16612498
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于氢化物气相外延的压强调控晶体生长反应釜。背景技术氮化镓(GaN)作为最重要的Ⅲ族氮化物半导体,属于宽带隙半导体材料(~3.4eV),在光电子器件等诸多应用领域中,厚膜GaN作为同质外延衬底将对器件性能提高起到巨大的推动作用。目前GaN晶体厚膜的研制方法,主要是金属有机化学气相沉积法(MOCVD)、氢化物气相外延法(HVPE)等,气相生长法得到的氮化镓晶体位错密度较大,而传统的制备硅(Si)、砷化镓(GaAs)单晶衬底的液相提拉法很难用于生长GaN衬底材料。为此,人们提出将钠(N...
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