技术编号：16639752
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅氧化合物的生产技术领域，尤其涉及一种生产一氧化硅的多室卧式真空炉及一氧化硅制备方法。背景技术一氧化硅是一种宽带隙半导体光学材料，是用于制备光学镀膜、锂离子电池负极材料的重要原料，其制备方法多为将金属硅与氧化硅的混合物在真空和高温下反应，生产一氧化硅的蒸汽，在低温下沉积。早期的一氧化硅生产装置仅是一个高氧化铝瓷质耐火管，其常开的一端内壁衬有钼质或镍质衬片，工作时，将混合好的二氧化碳和硅的混合原料置于管内封闭的一端，耐火管封闭抽真空后，直接在空气中加热管子表面，原料汽化后，沉积在耐火管另...
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