技术编号:16735916
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种场效应管及其制作方法。背景技术场效应管(例如VDMOS)的漏源两极分别在器件的两侧,使电流在器件内部垂直流通,增加了电流密度,改善了额定电流,单位面积的导通电阻也较小,是一种用途非常广泛的功率器件。对于功率器件来说,有两个极为重要的参数,一个是导通电阻,另一个是击穿电压,对应用而言希望导通电阻尽可能的小,而击穿电压越高越好。功率器件为了承受高电压,需要采用很厚的低掺杂外延层。通过增加外延层厚度或减小外延层的掺杂浓度,可以提高击穿电压,但这样做的同时却提高了导...
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