技术编号:16751190
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种激光二极管芯片光电属性检测方法和检测装置。背景技术激光二极管芯片的光电属性(例如光强电流电压/PIV曲线,波长,远近场,高速特性)在其制程和产品品级筛选过程中是非常重要的参数,所有这些检测环节都需要给激光二极管芯片提供电流(或电压)的条件。如图1和图2所示,在目前的激光二极管光电属性检测设备上,一般采用一根细的刚性探针20去接触芯片10上端的电极垫(pad)12,来提供正极电流;负极由二极管芯片背面的导电膜层或其他电极接触来提供。激光二极管芯片上的电极垫通常是一个直径在几十微米,厚...
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