技术编号:16761943
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于悬浮区熔单晶炉技术领域,具体涉及一种连续生产的区熔炉。背景技术悬浮区熔单晶炉用于悬浮区熔提纯与悬浮单晶生长的装置。主要用于区熔硅的提纯和单晶生长,已用于工业生产半导体材料。悬浮区熔单晶炉结构由两部分组成,即炉室和机械传动部分以及电气控制柜和高频发生器部分。炉室为一不锈钢水套式直立容器,可抽高真空或通入流动氩气。从炉室顶底端各插入上轴和下轴,上轴下端夹持一根多晶硅棒,下轴顶端夹持一籽晶。炉室中央装设一单匝高频加热线圈。上下轴可分别旋转和升降。电气控制柜上装有指示仪表、调速旋钮、按钮开...
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