技术编号：16809056
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOSHEMT)是一种场效应晶体管，其包括具有不同带隙的两种材料之间的异质结作为沟道。氮化镓晶体管是这种晶体管的示例。增强模式(e模式)MOSHEMT可以通过将栅极到源极电压设置为0伏而被截止，并可以通过使栅极电压高于源极电压(对于n型金属氧化物半导体，NMOS)或低于源极电压(对于p型金属氧化物半导体，PMOS)而被导通。这种晶体管可能会出现许多性能问题。附图说明图1a示出了易于从氮化镓(GaN)沟道向栅极氧化物界面泄漏电荷的示例性栅极堆叠体配置。图1b示出...
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