技术编号:16857567
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于磨削或抛光装置技术领域,具体涉及一种半导体晶圆抛光主轴装置,包括内部的气路结构和内置旋转驱动。技术背景随着半导体行业的飞速发展,集成电路的特征尺寸不断趋于微细化,因此半导体薄膜表面的高平坦化对器件的高性能、低成本、高成品率有着重要的影响。化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)技术是化学作用和机械作用相结合的技术。其工作原理是,首先工件表面材料与抛光液中的氧化剂、催化剂等发生化学反应,生成一层相对容易去除的软质层,然后在抛光液中的磨料...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。