技术编号：16909275
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种功率器件终端结构及其制作方法。背景技术功率器件的最重要性能之一就是抗高压能力，器件经过设计可以器件界面的耗尽区上承受高压，随着外加电压的增大，耗尽区电场强度也会增大，最终超过材料极限出现雪崩击穿。当器件边缘耗尽区电场曲率增大，会导致电场强度比管芯内部大，在电压升高的过程中管芯边缘会早于管芯内部出现雪崩击穿，为了提高器件的性能，需要在器件边缘设计分压结构，减少耗尽区曲率，使耗尽区横向延伸，增强水平方向的耐压能力。终端扩展技术是目前功率器件中通常采用的分压结构之...
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