技术编号：17021382
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求2017年8月17日提交的美国临时申请62/546,914的优先权，其全部内容出于所有允许的目的而通过引用并入本文。技术领域本发明一般涉及半导体晶片的化学机械平面化或化学机械抛光(CMP)。更具体地，本发明涉及用于宽或高级节点铜或硅通孔(Through Silica Via，TSV)CMP应用的、高的且可调的去除速率和低凹陷制剂。CMP抛光制剂、CMP抛光组合物或CMP抛光浆料在本发明中是可互换的。背景技术铜由于其低电阻率、高可靠性和可延展性而是用于集成电子器件制造中的互连金属的当前材...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。