技术编号：17227321
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种浅沟槽隔离结构及其制造方法。背景技术在集成电路制造领域，台阶高度(step height)是一个很重要的参数，控制好台阶高度可以给后续工艺(例如栅极光刻的焦深、栅极刻蚀等)增加很多工艺窗口(process margin)。在现有的工艺技术中，一般是先通过浅沟槽隔离(STI)制程定义初始的台阶高度，参阅图1中的衬底11上的浅沟槽隔离12的台阶高度S1；再通过后续氢氟酸的刻蚀来控制浅沟槽隔离的台阶高度。在实际的工艺过程中，一般会有多次的氢氟酸刻蚀，而每经过一次...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。