技术编号:17282775
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件及制造领域,特别涉及一种鳍及半导体器件的制造方法。背景技术随着半导体器件的高度集成,MOSFET沟道长度不断缩短,一系列在MOSFET长沟道模型中可以忽略的效应变得愈发显著,甚至成为影响器件性能的主导因素,这种现象统称为短沟道效应。短沟道效应会恶化器件的电学性能,如造成栅极阈值电压下降、功耗增加以及信噪比下降等问题。全耗尽(Fully-Depleted)非平面器件,如FinFET(鳍型场效应晶体管),是20纳米及以下技术代的理想选择。由于FinFET可以实现对极短沟道中的短沟...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。